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<div class=Section1>

<p class=MsoNormal>Hello all,<o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal><o:p> </o:p></p>

<p class=MsoNormal>I¡¯m in a project of building electronic device on bulk
germanium wafer, and find out the contact resistance become a limitation of the
performance.<o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal>Because the band pining of germanium-metal interface
especially the N-type germanium, the resistance is hard to be reduced with the
high Schottky barrier.<o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal>One way is to use highly dosed germanium but it seem there
is limitation to increase the electron activated  concentration for
germanium.<o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal>Is there any good way to reduce the contact resistance? <o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal><o:p> </o:p></p>

<p class=MsoNormal>Thank you <o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal><o:p> </o:p></p>

<p class=MsoNormal>Regards<o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal>Ben <o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal><o:p> </o:p></p>

<p class=MsoNormal>Boston University<o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal>Phone: 857-366-2675<o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal>Address<span lang=ZH-CN style='font-family:SimSun'>£º</span>
8 ST.Mary¡¯s street Room 609<o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal>                      
Boston, MA 02215<o:p></o:p></p>

<p class=MsoNormal><o:p> </o:p></p>

<p class=MsoNormal><o:p> </o:p></p>

<p class=MsoNormal><o:p> </o:p></p>

<p class=MsoNormal><o:p> </o:p></p>

</div>

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