<!DOCTYPE HTML PUBLIC "-//W3C//DTD HTML 4.01 Transitional//EN">

<html>

  <head>

    <meta content="text/html; charset=ISO-8859-1"

      http-equiv="Content-Type">

  </head>

  <body text="#000000" bgcolor="#ffffff">

    Rick:<br>

    <br>

    To add our practices at Stanford to the discussion ...<br>

    <br>

    1. Our newer, higher quality system has heated line between tube and

    pump as well as an inline mesh filter before the pump.<br>

    <br>

    2. Our older system actually only has a filter on the exhaust side

    of the pump.  That is primarily to help avoid buildup in the exhaust

    line.  Our exhaust line is actually too small ... 1" OD ... so

    occlusion of the exhaust line can be a problem.<br>

    <br>

    We have some form of abatement on each system .... in fact all of

    our LPCVD either runs to an old Innovative Engineering/Delatech CDO

    unit running at 800 C or to a Pure Air EDOC (Dynamic Oxidation

    Chamber) to treat exhaust gases. The output of either the CDO or

    EDOC then goes to our building-wide water scrubber .... that will

    remove the HCl and ammonia products from the nitride process.<br>

    <br>

    Note: I believe that just about all nitride LPCVD processes will

    have significant fractions of unreacted DCS coming out the end of

    the tube.  That is particularly true if you are running hgh DCS

    flows, which is often the case if you are trying to produce a

    silicon-rich, low-stress nitride film.  So, even though we don't use

    production volumes of gas, we still believe in abatement on all

    LPCVD tubes.<br>

    <br>

    Good luck,<br>

    <br>

    John<br>

    <br>

    <br>

    On 4/11/2012 5:08 AM, Morrison, Richard H., Jr. wrote:

    <blockquote

      cite="mid:D3862732F46DEB4B93B4A7A80614D28802B754@mbx2.draper.com"

      type="cite">

      <p class="MsoNormal">Hi Everyone,<o:p></o:p></p>

      <p class="MsoNormal"><o:p> </o:p></p>

      <p class="MsoNormal">I am restarting a Silicon Nitride LPCVD

        process and I have a few questions. The process will use a EBARA

        dry pump therefore should I use a trap on the vacuum pump inlet

        to catch any particulate generated?

        <o:p></o:p></p>

      <p class="MsoNormal"><o:p> </o:p></p>

      <p class="MsoNormal">Any issue with excess hydrogen from the

        process going into the dry pump, do I need a burn box on the

        vacuum pump exhaust?<o:p></o:p></p>

      <p class="MsoNormal"><o:p> </o:p></p>

      <p class="MsoNormal">2<sup>nd</sup> question has anybody tried to

        run the LPCVD process on a wafer with a platinum metal pattern

        on the surface? I was wondering if there maybe some adverse

        effect because of the catalytic nature of Platinum.<o:p></o:p></p>

      <p class="MsoNormal"><o:p> </o:p></p>

      <p class="MsoNormal">Thanks<o:p></o:p></p>

      <p class="MsoNormal">Rick</p>

    </blockquote>

    <br>

  </body>

</html>