<html xmlns:v="urn:schemas-microsoft-com:vml" xmlns:o="urn:schemas-microsoft-com:office:office" xmlns:w="urn:schemas-microsoft-com:office:word" xmlns:m="http://schemas.microsoft.com/office/2004/12/omml" xmlns="http://www.w3.org/TR/REC-html40">

<head>

<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=us-ascii">

<meta name="Generator" content="Microsoft Word 15 (filtered medium)">

<style><!--

/* Font Definitions */

@font-face

        {font-family:"Cambria Math";

        panose-1:2 4 5 3 5 4 6 3 2 4;}

@font-face

        {font-family:Calibri;

        panose-1:2 15 5 2 2 2 4 3 2 4;}

/* Style Definitions */

p.MsoNormal, li.MsoNormal, div.MsoNormal

        {margin:0in;

        margin-bottom:.0001pt;

        font-size:11.0pt;

        font-family:"Calibri",sans-serif;}

a:link, span.MsoHyperlink

        {mso-style-priority:99;

        color:#0563C1;

        text-decoration:underline;}

a:visited, span.MsoHyperlinkFollowed

        {mso-style-priority:99;

        color:#954F72;

        text-decoration:underline;}

span.EmailStyle17

        {mso-style-type:personal-compose;

        font-family:"Calibri",sans-serif;

        color:windowtext;}

.MsoChpDefault

        {mso-style-type:export-only;

        font-family:"Calibri",sans-serif;}

@page WordSection1

        {size:8.5in 11.0in;

        margin:1.0in 1.0in 1.0in 1.0in;}

div.WordSection1

        {page:WordSection1;}

--></style><!--[if gte mso 9]><xml>

<o:shapedefaults v:ext="edit" spidmax="1026" />

</xml><![endif]--><!--[if gte mso 9]><xml>

<o:shapelayout v:ext="edit">

<o:idmap v:ext="edit" data="1" />

</o:shapelayout></xml><![endif]-->

</head>

<body lang="EN-US" link="#0563C1" vlink="#954F72">

<div class="WordSection1">

<p class="MsoNormal">Dear Colleagues,<o:p></o:p></p>

<p class="MsoNormal"><o:p> </o:p></p>

<p class="MsoNormal">We have been attempting to etch Si SOI wafers in TMAH with an SiO<sub>2</sub> mask that was wet grown. The wafer layer we are etching is 300 microns thick, the other Si layer is 40 microns thick and the mask is approximately 1.7 microns

 thick. We have noticed etch pit in the 40 micron side of the wafer (non-etched side) and originally thought that it was due to microbubbles in the photoresist that allowed BOE to reach the SiO<sub>2</sub> layer during the pattern transfer step. We have since

 ruled this out since we did not submerge the wafer in BOE for pattern transfer this time. Regardless, we are still seeing obvious etch pits in what should have been a continuous SiO<sub>2</sub> layer on the 40 micron side.

<o:p></o:p></p>

<p class="MsoNormal"><o:p> </o:p></p>

<p class="MsoNormal">If anyone has some experience with this phenomena, your assistance would be greatly appreciated.<o:p></o:p></p>

<p class="MsoNormal"><o:p> </o:p></p>

<p class="MsoNormal">The best,<o:p></o:p></p>

<p class="MsoNormal"><o:p> </o:p></p>

<p class="MsoNormal">Tyler J. Hieber<o:p></o:p></p>

<p class="MsoNormal">Ph.D. Graduate Student <o:p></o:p></p>

<p class="MsoNormal">Kansas State University<o:p></o:p></p>

<p class="MsoNormal">Department of Mechanical and Nuclear Engineering<o:p></o:p></p>

<p class="MsoNormal">thieber@ksu.edu<o:p></o:p></p>

</div>

</body>

</html>