<div dir="ltr">Dear Researchers,<div><span style="font-family:arial,sans-serif;font-size:12.8px">I want to use ICP PECVD facility for depositing silicon dioxide on patterned </span><b style="font-family:arial,sans-serif;font-size:12.8px">photoresist sample</b><span style="font-family:arial,sans-serif;font-size:12.8px">.</span></div><div><span style="font-family:arial,sans-serif;font-size:12.8px">Finally lift-off the SiO2, The sample consist of gold patterns upon glass substrate. </span></div><div><font face="arial, sans-serif"><span style="font-size:12.8px">We have only one ICP CVD Unit, which mostly used for semiconductor and GaN device passivation layers along with some other MEMS process.</span></font></div><div><font face="arial, sans-serif"><span style="font-size:12.8px"><br></span></font></div><div><font face="arial, sans-serif"><span style="font-size:12.8px">I suspect the Photoresist may contaminate the chamber and also getting lift may not be possible after subjecting to ICP & RF powers.</span></font></div><div><font face="arial, sans-serif"><span style="font-size:12.8px"><br></span></font></div><div><font face="arial, sans-serif"><span style="font-size:12.8px">I request experts to throw some light on this process feasibility and your experience.</span></font></div><div><font face="arial, sans-serif"><span style="font-size:12.8px"><br></span></font></div><div><font face="arial, sans-serif"><span style="font-size:12.8px"><br clear="all"></span></font><div><div dir="ltr" class="gmail_signature" data-smartmail="gmail_signature"><div dir="ltr"><div><div dir="ltr"><div><div dir="ltr"><div>Thanks & Regards</div><div>Srinivasa Reddy Kuppireddi<br></div><div>Project Manager </div><div>Center for NEMS & Nano Photonics (CNNP)</div><div>ESB 225, Dept. of Electrical Engineering</div><div>Indian Institute of Technology(IIT) Madras</div><div>Chennai-600036, Indian</div><div>+91 44 2257 5493 (O)</div><div>+91 789 326 8010(M)</div></div></div></div></div></div></div></div></div></div>