<div dir="ltr"><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">Thank you everyone for the replies! I am definitely taking note of all of them.<br><br>Some of you asked why I am developing the same sample multiple times. This is necessary when we are servicing the system and need to test performance after changes, before moving forward. The idea was to avoid breaking the wafer and being able to clean and reuse it afterwards. Another use of this is when adjusting testing overlay alignment, since we need to expose and develop 2 layers.</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif"><br></div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">I'll try to sumarize below the information that you shared, so it's available to more people in the network.</div><div class="gmail_default" style=""><ul style=""><li style="font-family:arial,sans-serif">Some of you confirmed that this is indeed a problem. The plausible causes are either the basic nature of the developer, or water — I'd guess the former. One of these seems to form a skin on the surface of the resist, making it harder to develop.</li><ul style="font-family:arial,sans-serif"><li>One of you even said that they used this to their advantage, producing undercut for lift-off</li></ul><li style=""><font face="arial, sans-serif">One of you said that even doing the same thing as we do, never saw this problem. They said that they use AZ-300MIF (we usually use AZ 400k 1:4 in our standard processes), and perhaps that makes a difference.</font></li><li style=""><font face="arial, sans-serif">The suggested solutions are:</font></li><ul><li style=""><font face="arial, sans-serif">Cut the wafer after coating, of course</font></li><li style=""><font face="arial, sans-serif">Use pipettes to dispense developer only on the areas of interest. In fact, as some of you pointed out, this is the technique used by Heidelberg when servicing, we just had no idea why. And,  apparently, we should be alright rinsing the whole wafer with water (which makes it more plausible that the base in the developer is the cause of resist hardening).</font></li><li style=""><font face="arial, sans-serif">An interesting suggestion was to perform a PEB after the second exposure (after one run in the developer) to try and break that surface film. We will probably try this one, and perhaps try baking between development and exposure as well.</font></li></ul></ul><font face="arial, sans-serif">Again, thank you all for sharing your thoughts and experience. It was very fruitful.</font></div><div class="gmail_default" style=""><font face="arial, sans-serif"><br></font></div><div class="gmail_default" style=""><font face="arial, sans-serif">Best regards,</font></div><div class="gmail_default" style="">--<br>Gustavo de Oliveira Luiz, PhD<br>Applications/Research Specialist<br>nanoFAB, University of Alberta<br>+1 (780) 619-1463<br></div></div><br><div class="gmail_quote"><div dir="ltr" class="gmail_attr">On Tue, Jun 15, 2021 at 9:02 AM Gustavo de Oliveira Luiz <<a href="mailto:deolivei@ualberta.ca">deolivei@ualberta.ca</a>> wrote:<br></div><blockquote class="gmail_quote" style="margin:0px 0px 0px 0.8ex;border-left:1px solid rgb(204,204,204);padding-left:1ex"><div dir="ltr"><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">Hello everyone,</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif"><br></div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">I am having some trouble developing recipes or testing performance on our Heidelberg MLA150.  Especially when testing performance, it is required for us to expose the test pattern once, develop, inspect and repeat. 

We usually coat a larger sample (e.g. a 4" wafer) with resist and expose a small test design, allowing us to use the same sample many times.

The problem that I encounter is that the development time increases after each iteration, and it is not due to the developer getting weaker (I tried using a new developer to make sure). This behavior is observed on AZ 1500 and AZ 4000 series resists, with the latter presenting a more drastic change.</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif"><br></div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">It seems to me that the developer changes something on the unexposed resist, making it harder to develop. This is made obvious by the fact that we don't see this problem when processing multiple samples and developing them with the same developer bath. In that case the only problem we encounter is the developer getting weaker depending on the exposed area and number of samples, as expected.</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif"><br></div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">I thought that it could be over-hydration, since the developer is a water solution and we rinse with water as well. But high water content tends to make development faster, not slower. Does anyone have more information on the interaction between developer and unexposed resist? I'd appreciate any input you may have.</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif"><br></div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">Best regards,</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">--</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">Gustavo de Oliveira Luiz, PhD</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">Applications/Research Specialist</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">nanoFAB, University of Alberta</div><div class="gmail_default" style="font-family:arial,sans-serif">+1 (780) 619-1463<br></div></div>
</blockquote></div>