<div dir="ltr">Hi,<div><br></div><div>Does anyone have (or know of a group who has) Gas Immersion Laser Doping (GILD) or Pulse Laser Induced Epitaxy (PLIE) capabilities for implanting a high concentration of Boron (1e21/cm^3) into the top ~200 nm of a bare Si wafer? </div><div><br></div><div>Wafer size isn't important.</div><div><br></div><div>Thanks much,<br clear="all"><div><div dir="ltr" class="gmail_signature" data-smartmail="gmail_signature"><div dir="ltr"><div><br></div>Brian K. Olmsted<div>Associate Director of Laboratory Operations<br><div>University of Minnesota | MNC<br><div><a href="http://www.mnc.umn.edu" target="_blank">www.mnc.umn.edu</a></div></div><div>612.626.3287</div><div><a href="mailto:olms0025@umn.edu" target="_blank">olms0025@umn.edu</a></div><div><br></div></div></div></div></div></div></div>