<div dir="ltr"><div>Could you mechanically remove most of the SiO2 using something like a dicing saw and then finish the removal using a wet etch? Maybe create a fin structure in the SiO2 you do not want and then let a wet etch remove the fins? Your undercut could be reduced in this manner.<br></div></div><br><div class="gmail_quote"><div dir="ltr" class="gmail_attr">On Wed, Jan 18, 2023 at 8:08 PM Howard Northfield <<a href="mailto:Howard.Northfield@uottawa.ca">Howard.Northfield@uottawa.ca</a>> wrote:<br></div><blockquote class="gmail_quote" style="margin:0px 0px 0px 0.8ex;border-left:1px solid rgb(204,204,204);padding-left:1ex"><div class="msg-2885064333585015456">




<div dir="ltr">
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)"><br>
</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)">That's a very deep etch.</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)"><br>
</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)">Regarding dry etching:<br>
</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)">I have recently done etch tests on PEVCD SiO2 with a SAMCO 10NR RIE:</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)"><br>
</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)">- 50W, 80sccm CF4, 16sccm O2, 3.0Pa: ~21nm/min
<div><br>
</div>
<div>- 25W, 25sccm SF6, 10sccm O2, 3.0Pa: ~7nm/min</div>
<div>- 50W, 25sccm SF6, 10sccm O2, 3.0Pa: ~19nm/min</div>
<div><br>
</div>
... yes for 500um that would be around a 417 hour etch .... not feasible/realistic.<br>
</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)">So you can probably rule out these etch recipes.</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)"><br>
</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)">Regarding wet etching, generally I find it very hard
 to control and mask under-cut is significant.<br>
</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)"><br>
</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)">Howard Northfield
<div>Research Associate</div>
<div>Advanced Research Complex (ARC)</div>
University of Ottawa<br>
</span></div>
<div><span style="font-family:Calibri,Arial,Helvetica,sans-serif;font-size:12pt;color:rgb(0,0,0);background-color:rgb(255,255,255)"><br>
</span></div>
<div id="m_-2885064333585015456appendonsend"></div>
<hr style="display:inline-block;width:98%">
<div id="m_-2885064333585015456divRplyFwdMsg" dir="ltr"><font face="Calibri, sans-serif" style="font-size:11pt" color="#000000"><b>From:</b> labnetwork <<a href="mailto:labnetwork-bounces@mtl.mit.edu" target="_blank">labnetwork-bounces@mtl.mit.edu</a>> on behalf of Ningzhi Xie <<a href="mailto:nzxie@uw.edu" target="_blank">nzxie@uw.edu</a>><br>
<b>Sent:</b> Wednesday, January 18, 2023 4:23 PM<br>
<b>To:</b> <a href="mailto:labnetwork@mtl.mit.edu" target="_blank">labnetwork@mtl.mit.edu</a> <<a href="mailto:labnetwork@mtl.mit.edu" target="_blank">labnetwork@mtl.mit.edu</a>><br>
<b>Subject:</b> [labnetwork] Deep anisotropic etching of SiO2</font>
<div> </div>
</div>
<div>
<div style="font-size:9pt;font-family:calibri;color:rgb(255,66,51)"><b>Attention : courriel externe | external email</b></div>
<div>
<div dir="ltr"> Dear college,
<div><br>
</div>
<div>We want to perform a highly anisotropic, very deep (~500um) etching of SiO2 with a vertical side wall. On top of the SiO2 is nanostructures protected by photoresist. The etch depth needs to be controlled with a precision of 20% (we are thinking of using
 another  material as the substrate underneath the SiO2 layer, which acts as an etch-stopper). The structure and dimensions are shown in the attached image. It would be very helpful if anyone has any idea of this kind of etching (either dry and wet chemical
 etch is fine).</div>
<div><br>
</div>
<div>Thank you very much.</div>
<div><br>
</div>
<div></div>
<div>
<div dir="ltr">
<div dir="ltr">Best regards,
<div>Ningzhi Xie</div>
<div>Department of Electrical and Computer Engineering</div>
<div>University of Washington</div>
</div>
</div>
</div>
</div>
</div>
</div>
</div>

_______________________________________________<br>
labnetwork mailing list<br>
<a href="mailto:labnetwork@mtl.mit.edu" target="_blank">labnetwork@mtl.mit.edu</a><br>
<a href="https://mtl.mit.edu/mailman/listinfo.cgi/labnetwork" rel="noreferrer" target="_blank">https://mtl.mit.edu/mailman/listinfo.cgi/labnetwork</a><br>
</div></blockquote></div><br clear="all"><div><br></div>-- <br><div dir="ltr" class="gmail_signature"><div dir="ltr"><div dir="ltr">Robert Nidetz, PhD (he/him/his)</div><div>University of Michigan</div><div dir="ltr">LNF User Liaison and Domain Expert</div><div dir="ltr">1241 EECS Building</div><div dir="ltr">1301 Beal Ave</div><div>Ann Arbor, MI 48109</div><div><a href="mailto:nidetz@umich.edu" target="_blank">nidetz@umich.edu</a><br></div><div>734.496.8065</div><div dir="ltr"><div>Book an appointment: <a href="https://calendly.com/nidetz" target="_blank">https://calendly.com/nidetz</a></div></div></div></div>