<div dir="ltr">Hi everyone,<div><br></div><div>Is there a way to deposit thick amorphous Si on several micrometres scale(~5um or above) but with a low processing temperature (<150 deg C)? PECVD is one possibility but the typical operating substrate temperature is too high (>200 deg C) which will destroy our device.</div><div><br></div><div>Best regards,</div><div>Longji Cui</div><div><br></div><div>University of Colorado Boulder<br></div></div>