<div dir="ltr">We are adding Gallium Arsenide (and potentially InP) devices to the allowed materials in one of our Oxford Plasmalab 100 ICP/RIE systems using BCl3/Cl etch chemistry. My question concerns safety protocols, especially for mechanical/wet cleans of the chamber. Does anyone doing these types of etches have extra protocols, e.g. long cleaning etches, respirators, etc in place for opening and physically cleaning the chamber or any other aspects for handling GaAs residue.  This system has a load lock, but sees a wide variety of materials and requires frequent mechanical/wet cleans in the main chamber. <div><br></div><div>Bill Kiether</div><div>NCSU Nanofabrication Facility</div><div><a href="mailto:wjkiethe@ncsu.edu">wjkiethe@ncsu.edu</a></div><div><br></div></div>